专注于单晶硅领域的中环股份昨日在津召开新产品发布会，重点展示了在半导体节能领域和太阳能光伏领域取得的三项最新技术突破，分别是8英寸区熔硅单晶、〈110〉晶向直拉硅单晶、CFZ（直拉区熔技术）高效太阳能电池硅单晶。公司表示，这三项技术的成功突破，将进一步提升企业在这两个领域的竞争力，为企业的未来发展带来新的经济增长点。

预计到2012年底，中环股份8英寸区熔硅单晶片生产规模将达到5000片/月以上，打破了国外对8英寸区熔硅单晶生长技术的封锁。

区熔硅单晶已成为IGBT的主体功能性材料。IGBT是新一代的功率半导体器件，其技术应用的核心是通过电源频率调制实现整机、装置的控制和节能，其产品应用已覆盖高速机车、新能源汽车、工业节能、新能源、节能家电等领域。2010年中国IGBT市场规模约70亿元，未来预计将以25%以上的速度增长。目前，全球有近20家区熔硅单晶制造商，其中前5家公司垄断了全球产量的95.5%以上，中环股份占据第三的位置。

在太阳能光伏领域，CFZ高效太阳能电池硅单晶，将成为公司未来在太阳能行业的核心竞争力和利润增长点。该技术使得转换效率达到24%~26%，接近理论极限值，远高于目前国内17%左右的转化率，进而大幅提升发电企业的经济效益。同时，相对于目前太阳能行业普遍应用的CZ（直拉）单晶硅生长方法而言，CFZ具有更低成本、更高产品品质的优势，可采用低品质的多晶硅生产高品质产品，而采购的多晶硅成本较普通多晶硅低5%以上。目前该项技术世界上只有中环股份掌握，公司具有产品的议价权。

〈110〉晶向直拉硅单晶，主要应用于超薄太阳能电池，该技术既可节约硅材料3倍左右，同时使用其生产的电池片柔韧性好，适用于特殊场合。目前公司已开始批量生产，预计2012年一季度产量将达到2.5吨，至2013年三季度，产量将有望提升至40吨/年；而装机容量将从目前的5兆瓦，提升至2015年的75兆瓦。