IMEC使用高质基底的大面积(70cm2)外延式太阳能电池已获得16.3%的转换效率。此前，低质基底大面积电池曾获得14.7%的转换效率。IMEC已成功地在高质高掺杂度的基底和低成本的高级冶金级多晶硅基底上，获得了厚度仅为20 微米的高质量外延式硅堆。

"在高质基底上所获得的16.3%的效率和低成本基底的14.7%的效率均表明工业级的效率是可以通过现有技术来实现的。"IMEC太阳能项目总监Jef Poortmans表示，"通过使用铜基接触方案，我们可以进一步提高转换效率，使低成本晶片上生长外延式薄膜硅太阳能电池成为一项值得关注的工业技术。"

P+型背表面电场(BSF)、p型基底和n型前端发射极由化学气相沉积形成。电池的捕光方式是在外延/基底部位，将前表面等离子结构与内部多孔硅布拉格反射镜相结合，已达到捕光的目的。太阳能电池在该高质基底上使用了铜基接触方案。

低质基底太阳能电池的金属化工艺使用了丝网印刷技术，该步骤是形成扩散型前表电场及镀氮化硅减反射膜之后的最后一步制造工艺。这一外延生长式晶片的等效基底可完全用在标准的工业化太阳能电池制作工艺中。