薄膜硅型太阳能电池截面模型图                 涂布型背面电极的截面图

三菱材料开发出了用于薄膜硅型太阳能电池电极的Ag（银）纳米墨、ITO（氧化铟锡）纳米墨及SiO2墨。这些墨系将纳米颗粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太阳能电池的Si层上后，可以形成名为背面电极的亚微米级厚度的薄膜。其光电转换效率可与原来的真空成膜相当。

薄膜硅型太阳能电池的优点有：硅用量可减至结晶硅型的1/100左右、能量偿付期（所发电力达到制造该产品所需电力的运行时间）短、与化合物半导体型太阳能电池相比不容易受Te（碲）等原料用量的限制等。不过，对太阳能电池厂商而言，引进多种真空成膜装置的初期投资成本高是一个很大的问题，需要通过转变成涂布成膜工艺来大幅降低成本。

据介绍，此次的电极墨，可利用大日本网屏制造（DNS）的涂布装置“Linearcoater”在1.4m×1.1m的大块玻璃上稳定成膜。这有利于削减薄膜硅型太阳能电池的制造成本。

三菱材料将在2011年11月28日～12月2日于福冈县福冈市举行的“21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference（PVSEC-21）”上公布此次的开发成果。另外，大日本网屏制造（DNS）将在2011年11月28日～11月30日于中国上海市举行的“PV China 2011”上介绍这种墨的涂布工艺。