仙童/华晶三极管 13003 TO-126 晶体管 E13003 TO-220 大芯片
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有效期至： 2012年12月19日
| 品牌 | 华晶 | 型号 | 13003 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 0.5（V） | 夹断电压 | -（V） |
| 跨导 | -（μS） | 极间电容 | -（pF） |
| 低频噪声系数 | -（dB） | 最大漏极电流 | 1500（mA） |
| 最大耗散功率 | -（mW） | | |
MJE13003
FEATURES
Power dissipation
PCM : 1.25 W Tamb=25
Collector current
ICM : 1.5 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : 700 V
Tamb=25 unless otherwise specified
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 1000 A IE=0 700 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= 10 mA IB=0 400 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= 1000 A IC=0 9 V
Collector cut-off current ICBO VCB= 700 V IE=0 1000 μA
Collector cut-off current ICEO VCE= 400 V IB=0 500 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB= 9 V IC=0 1000 μA
HFE 1 VCE= 10 V, IC= 150 mA 8 40
DC current gain(note)
HFE 2 VCE= 10 V, IC= 0.5 mA 5
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=1000mA,IB= 250 mA 1 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=1000mA, IB= 250mA 1.2 V
Base-emitter voltage VBE IE= 2000 mA 3 V
Transition frequency fT
VCE=10V,Ic=100mA
f =1MHz 5 MHz
Fall time tf 0.5 μs
Storage time ts
IC=1A, IB1=-IB2=0.2A
VCC=100V 2.5 μs
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