2SC5200中频中功率放大三极管与2SA1943是对管
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有效期至： 2012年12月18日
| 是否提供加工定制 | 否 | 品牌 | TOSHIBA东芝 |
| 型号 | 2SC5200 | 应用范围 | 放大 |
| 材料 | 硅(Si) | 极性 | NPN型 |
| 击穿电压VCBO | -230V（V） | 集电极最大允许电流ICM | 15（A） |
| 集电极最大耗散功率PCM | 150W（W） | 截止频率fT | 30（MHz） |
| 结构 | 扩散型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 金属封装 | | |
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图片只是代表这个产品的封装规格。
2SC5200是东芝半导体公司推出的NPN型三重扩散硅晶体管。
2SC5200具备体积小、重量轻、耐震动、寿命长，耗电小五大优点。此外，在功率放大器运用方面具有独特的优势：一、高击穿电压最小值达230
V；二、适用于100W高保真音响放大器输出；三、性能兼容2SA1943，功能与2SA1943相辅相成。
相比传统的半导体电子管，2SC5200是新型的NPN型三重扩散硅晶体管，在安全性及可靠性方面有非常大的进步。2SC5200受温度影响比较大，储存的温度范围在55
°C 到 150°C之间，工作温度极限为 150°C。在不同的测试条件下，2SC5200表现出非常好的稳定性。当测试条件VCE = 5 V、IC = 1
A时，过渡频率为30 MHz；当测试条件VCB=10 V、IE=0时，过渡频率为1MHz且电极输出电容最大值达200 pF；当测试条件VCE=5 V、IC =
7 A时，基极发射极电压最大值达1.5V；当测试条件 IC=8 A、IB=0.8 A时，集电极发射极饱和电压为3.0 V。
2SC5200主要应用与一般电子和精密电子两大领域。一般电子运用包括计算机、办公设备、检测设备、工业机器人、家用电器等。精密电子应用涉及原子能控制仪表、太空船仪器、飞机、交通信号控制仪器仪表、医疗器械及其它各类安全装置。
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