专业供应PHD3055E 飞利浦N沟道MOS场效应管FET
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有效期至： 2012年12月13日
| 品牌 | PHI荷兰飞利浦 | 型号 | PHD3055E |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 60V（V） | 夹断电压 | 10V（V） |
| 跨导 | 100（μS） | 极间电容 | 220（pF） |
| 低频噪声系数 | 48（dB） | 最大漏极电流 | 12（mA） |
| 最大耗散功率 | 50（mW） | | |
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