现货供应IKW75N60T英飞凌IGBT单管
当 前 价:电议
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有效期至: 2012年12月13日
品牌 | INFINEON/英飞凌 | 型号 | IKW75N60T |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
开启电压 | 20(V) | 夹断电压 | -20(V) |
低频跨导 | 5(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 最大漏极电流 | 1(mA) |
最大耗散功率 | 1(mW) | | |
型号:IKW75N60T 75A 600V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒
Tc = 25℃/100℃ Ic = 80A/75A;
VCE(sat)= 1.50V;
特点:
☆最大工作结温可达Tjmax≤175℃
☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有最优的性能价格比
☆TO-247封装易于安装
☆适合开关频率fs≤30KHz
英飞凌全新原装,品质保证,价格优势,欢迎来电洽谈!
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