现货供应瑞萨IGBT单管RJH60F7DPQ-A0
当 前 价：电议
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有效期至： 2012年12月13日
| 品牌 | 日本瑞萨 | 型号 | RJH60F7DPQ- |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 最大漏极电流 | 1（mA） |
| 最大耗散功率 | 1（mW） | | |
日本瑞萨RJH60F7DPQ-A0, TO-247封装，能完全代替英飞凌IGBT单管IKW50N60T及IKW75N60T,已经有客户测试成功，现已经批量订购。
具体参数如下：
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