现货供应IKW30N60T英飞凌IGBT单管
当 前 价：电议
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有效期至： 2012年12月13日
| 品牌 | INFINEON/英飞凌 | 型号 | IKW30N60T |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 1（V） | 低频跨导 | 5（μS） |
| 极间电容 | 1（pF） | 低频噪声系数 | 1（dB） |
| 最大漏极电流 | 1（mA） | 最大耗散功率 | 1（mW） |
型号：IKW30N60T
30A 600V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒
Tc = 25℃/100℃ Ic = 60A/30A；
VCE（sat）= 1.50V；
Tsc = 5us
特点：
☆最大工作结温可达Tjmax≤175℃
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
☆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
☆可靠性高，高温性能稳定，特性优异，具有最优的性能价格比
☆TO-247封装易于安装
英飞凌全新原装，品质保证，价格优势，欢迎来电洽谈！
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