2N60L低压场效应管集成电路芯片
当 前 价：0.00
起订数量： 1000PCS
供货总量： 12000PCS
有效期至： 2013年8月3日
2A，600V N通道
功率MOSFET
??描述
UTC 2N60L是一个高电压MOSFET和旨在
有更好的特性，如快速开关时间，低门
费，低通态电阻，并具有较高的坚固雪崩
特点。这通常用于高速功率MOSFET
在电源开关应用，PWM马达控制，高
高效的直流到直流转换器和桥电路。
??特点
* RDS（on）=5Ω@ VGS = 10V
*超低栅极电荷（典型9.0nC）
*低反向传输电容（CRSS =典型的5.0 pF的）
*快速切换功能
*雪崩能量指定
*改进的dv / dt能力，高耐用性
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