英飞凌(Infineon)IGBT模块(图)
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有效期至： 2012年12月19日
| 品牌 | INFINEON/英飞凌 | 型号 | 2MBI150N-060 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | 15（V） | 夹断电压 | 15（V） |
| 极间电容 | 15（pF） | 低频噪声系数 | 15（dB） |
| 最大漏极电流 | 15（mA） | 最大耗散功率 | 15（mW） |
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