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特价现货供应MOS管IRF3205S

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有效期至： 2012年12月19日

共有 80 条同类“未分组”产品信息

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详细信息

品牌	IR美国国际整流器公司	型号	IRF3205S
种类	结型(JFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	耗尽型	用途	MOS-FBM/全桥组件
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	55（V）	夹断电压	5（V）
跨导	0.05（μS）	极间电容	211（pF）
低频噪声系数	40（dB）	最大漏极电流	62000（mA）
最大耗散功率	750（mW）

RF3205 概述

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
　　TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF3205 参数
IRF3205 基本参数
V_DSS		55 V
I_D@25℃		98 A
R_DS(on)Max		8.0 mΩ
IRF3205 其他特性
FET极性		N型沟道
Qg Typ		97.3 nC
IRF3205 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF3205 特性

先进的工艺技术
贴片安装（IRF3205S）
低端通孔安装（IRF3205L）
超低导通阻抗
动态dv/dt率
175℃工作温度
快速转换速率
无铅环保

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