供应低导通电阻PMOS管_SI2301_低导通PMOS管
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有效期至： 2012年12月13日
| 品牌 | 国产 | 型号 | 2301A |
| 应用范围 | 带阻尼 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 20（V） |
| 集电极最大允许电流ICM | 0.75（A） | 集电极最大耗散功率PCM | 1.25（W） |
| 结构 | 点接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | | |
2301A是P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗需采用小尺寸封装。
特征
输出电流(mA) <2800
最大输入电压(V) -20V
封装形式 SOT23-3
主要替代型号 SI2301
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