现货供应IKW25N120T2英飞凌原装IGBT
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有效期至： 2012年12月13日
| 品牌 | INFINEON/英飞凌 | 型号 | IKW25N120T2 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | -20（V） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 最大漏极电流 | 1（mA） |
| 最大耗散功率 | 1（mW） | | |
型号：IKW25N120T2
饱和压降Vce(sat):1.7V
Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 50A/25A
电流：25A
电压：1200V
封装：TO-247
包装：30PCS/管，240PCS/盒
特点：
☆最大工作结温可达Tjmax≤150℃
☆正温被系数饱和压降易于并联
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
☆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
☆TO-247封装易于安装
用途：变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、电焊机
英飞凌全新原装，品质保证，价格优势，欢迎来电洽谈！
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