供应拆机场效应2SK902,2SK906
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有效期至： 2012年12月13日
| 品牌 | FUI日本富士通 | 型号 | 2SK902 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | .（V） | 夹断电压 | .（V） |
| 跨导 | .（μS） | 极间电容 | .（pF） |
| 低频噪声系数 | .（dB） | 最大漏极电流 | ..（mA） |
| 最大耗散功率 | .（mW） | | |
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