IPS MOS 4N60
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有效期至： 2012年12月13日
| 品牌 | IPS | 型号 | IPS MOS 4N60 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 60（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 最大漏极电流 | 1（mA） |
| 最大耗散功率 | 1（mW） | | |
FTP/A04N60C,(600V,4A).(可代Fairchild FQPF5N60C(SSS4N60B) Toshiba 2SK2750(2SK3567) IR FIBC40GLC ST STP4NK60ZFP),
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