产品优点:

(1)集成封装尺寸2*6,不足IC+MOS(Futune Dw01+MS8205)分体封装尺寸的一半,特别适合尺寸较小的应用场合.例如:手机电池,蓝牙电池,MP3/MP4.

(2)连续工作电流在0-1800mA,峰值工作电流不小于5500mA.完全可以满足一般单节锂离子聚合物电池的小功率应用.

例如:手机电池,蓝牙电池,MP3/MP4.电子书(E-book)电池等,

(3)拼脚数量从14个减少到5个,外围器件最多只有2个电阻,3个电容,SMT加工费用减少15%

(4)IC本身成本比分体封装成本减低10-15%,抗静电及稳定性都有大幅度提高,最终成品可靠性更加有保证.

总之:较之分体方案,本品综合成本降低15%-20%,可靠性安全性提高20%.是目前单节保护IC方案中性价比最好的选择.

ITM ELI501 Specification

规格书

产 品 特性：

（1）保护IC与内置n沟道双MOS的mos管集成在一个封装内。

（2）通过内部连接减少了拼脚数量。（14---6）

（3）应用部件：

    a)保护IC：

         1）用高耐压CMOS工艺制作，可以连接额定电压超过24V的充电仪器。

         2）电压检测精度：

             过充电压检测：±60mv ; 过放电压检测：±110mv；过流电压检测：±35mv （temperature :Ta=25℃)        

         3）内置检测延迟时间：

               过充检测延迟：Type 0.08s / Max 0.20s (Ta=25℃);   过放检测延迟：Typ 40ms/ Max 100ms (Ta=25℃)    

              放电过流检测延迟：Type 10? / Max 30? (Ta=25℃)；短路检测延迟：Typ 5? / Max 50? (Ta=25℃)  

         4）带非正常充电检测功能

         5）有0V充电允许功能

         6）带有充电唤醒功能。（不能自东唤醒）

 b)  MOS管：

        1）采用先进的半导体接近技术提供优良的PIDS，在VGs加载电压12V时，操作门电压小于2.50V。

       2）共漏极结构

       3）一般特性：

           - VDS (V) = 20V
            - ID (A) = 6A
            - RSS (ON) < 60mΩ (VGS = 4.5V, ID = 5A)

概述：

   这是一款新型的电池保护解决方案IC，是内置了保护IC和N沟道双MOS管的复合保护IC。主要用于锂离子、聚合物电池单节系列应用领域。他的保护功能是通过检测电池的过充，过放，放电过流及其它异常状态进而驱动内置的N沟道MOS管动作来实现的。

    这款IC由三个电压检测器,短路检测路, 电压基准源,振荡器,计数器,和逻辑电路构成.

COUTpin (充电MOS控制拼)和DOUTpin (放电MOS控制拼)的输出是CMOS输出,可以直接驱动内置的N沟道MOSFET.当IC检测到过充状态超过内置的固定延迟时间后, COUT 输出低电平.终止充电(保护).当IC检测到过放,放电过流和短路状态超过内置的固定延迟时间后, DOUT拼输出低电平,放电终止(保护). 

    在过充状态,如果VDD电压低于过充释放电压,时间超过充释放延迟时间, COUT输出高电平,过充保护解处.在过放状态,如果在电池连接充电器时,电池电压上升超过过放检测电压,时间超过内置的延迟时间后, DOUT拼输出高电平, 过放保护状态解出. 当电池电压放到0V时, 可以直接给电池充电,IC不会阻止对0V电池充电. 

    一旦放电过流或者短路已经被检测到,处于保护状态的电池,当断开负载后,时间超过内置的延迟时间后, DOUT输出高电平,保护状态会自动解处.在过放保护状态,电池可提供的电流趋近于0.

Operation操作

 1在充电过程中,过充状态监测器VD1监测VDDpin电压.在电池充电过程中,当VDD pin电压高于过充检测电压

(典型值4.300V),他将检测到电池的过充状态,接着, COUT端转到低电平,从而驱动内部充电控制N沟道MOS管翻转开路,从而禁止对电池充电.当检测到过充之后,电池进入过充释放过程,如果VDD端电压低于过充释放电压之后(4.100V),接着COUT端转到高电平,内部充电控制N沟道MOS管翻转接通,它又可以接受对电池的充电.

  当VDD端电压高于过充检测电压,断开充电器,接上负载,保持COUT端低电平,但是会有经过内置N沟道MOS管的寄生二极管的导通负载电流通过.接着如果VDD端电压变成低于过充检测电压时, COUT端变成高电平,因此内置N沟道MOS管翻转接通,进而可以对电池充电.过充检测及释放都内置有延迟电路.当VDDpin电压高于过充检测电压时,又开始变成低于过充检测电压,时间短于过充检测延迟时间(type 0.08S),他将无法检测到过充。在过充状态，当VDDpin电压变成低于过冲释放电压，如果VDD端电压又恢复到高于过充保护释放电压，时间不超过过充保护释放延迟时间，过充保护状态无法释放。COUT输出驱动平台包含一个电平转换开关，它将输出与V-端相同的电压。COUT端电压输出特性在VDDand V-端电压符合CMOS输出特性。

2    过放检测器（VD2）

在过放电时VD2监测VDD pin电压，在电池过放电的状态下，当VDD端电压变成低于过放电检测电压时（2.400v），他将检测到电池的过放状态。从而使DOUT转变成低电平，内置的放电控制n沟道MOS管翻转开路，禁止电池放电。过放电状态的释放是通过连接充电器充电回复的。连接充电器，如果VDD端电压低于过放电保护检测电压，他将接受通过内置N沟道放电控制MOS管的寄生二极管产生的导通电流进行充电，然后，如果VDD端电压变成高于过放电保护检测电压，DOUT端转换成高电平，从而使内置N沟道放电控制MOS管翻转接通。电池重新进入可以放点状态。如果连接充电器，而且VDD端电压高于过放电检测电压，经过过放回复延迟时间后，DOUT转换成高电平。

当电池电压是0V时，如果充电器电压高于OV充电的最低操作电压（Max.1.5v）, COUT端输出高电平，电池可以接受充电操作。过放电检测延迟时间决定于芯片内部机构，当VDDterminal电压变成低于过放电检测电压时，如果VDD terminal电压在过放电检测延迟时间内（图片也40ms）又变成高于过放电检测电压。他将无法检测到过放电状态。此外，同样存在过放电释放延迟时间。过放电状态被检测到之后，所有电路将被停止，这就是我们假设的standby状态，电池的静态电流这时与IC的消耗电流大小是一样的（VDD=2V，Max0.1uA）

   DOUT端的输出类型是CMOS输出，介于VDD和VSS端电压。

3放电过流和短路检测器：（VD3）

在可充和可放状态，VD3监控V-拼的电压水平，当V-端电压通过短路负载或其他方法变成高于放电过流检测电压（type.0.150v）时，他将检测到放电过流状态。如果V-端电压变成高于短路检测电压（1.35V）他也将检测到放电过流状态。接着，DOUT端输出低电平，因而内置的放电控制N沟道MOS管翻转开路，从而防止了大电流放电。放电过流检测延迟时间有内部电路决定，当V-端电压变成高于过漂流检测电压时，如果V-端电压在在放电过流检测延迟时间内（type 10ms）又变成小于放电过流检测电压，他将检测不到放电过流状态。而且同样存在着放电过流回复延迟时间。短路检测延迟时间（type 5us）有IC内部电路决定。

应用提示：

R1和C1是用来稳定电源纹波的，可是，当R1增大时，由于通过IC的电流导致检测电压升高，因此R1阻值一般调整到100Ω或更少一点。此外请调节C1到0.1uF或多一点去稳定操作。R1和R2电阻是用来做当充电器反接或超高电压充电器误接时限流使用。R1和R2可能会导致电源损耗超过而定的功率损耗，因此R1+R2必须大于1KΩ，而且，如果R2太大的话，偶尔会发生过放后充电不回复现象，因此调整R2阻值到5KΩ或者更少一点。C2和C3电容是用来通过抑制电压纹波和输入噪音来稳定系统的。仔细审核电路特性，决定这些电容需要加入或去掉，哪里需要应用或者容值多少。