ARM与GlobalFoundries加紧28nm代工合作
来源:赛迪网 日期:2010-9-6 作者:全球电池网 点击:
GlobalFoundries公司近日表示它计划直接跃入28nm时代。公司重申这是工业界基于高k/金属栅工艺的第1个28nm器件。GlobalFoundries研发部的技术高级副总裁Gregg Barleti表示公司采用TQV(Technology Qualification Vehicle) 技术验证包可以使客户设计的28nm工艺达到代工最佳化。
双方合作开发的TQV已在Dresden GlobalFoundries的Fab1于8月完成产品设计阶段(tapeout stage) 。
利用ARM Cortex A9物理IP的TQV设计, 范围包括L1标准单元库, 高速缓冲存储器和存储器单元密度最佳化。它的设计可仿效product-like,SoC。
TQV将采用GlobalFoundries的28nm高功能技术, 产品用于高功能的有线应用。产品的技术采用gate first高k工艺。
GlobalFoundries和ARM双方公开它们在SoC平台技术的合作细节是在2009 Q3。并声称此种新的芯片制造平台技术, 与通常的40nm技术比较,能增加40%的计算功能, 30%的功耗降低及100%的增加备用电池使用寿命。
去年在阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)支持下化总额达39亿美元兼并新加坡特许。
特许的加盟使GlobalFoundries的实力大增。ATIC和AMD将继续投资扩大在处理器与图像IC方面的合作。
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