数量：50万/月；

技术要求：2.1 长晶方式:    MCZ或CZ
2.2 硅纯度:      >99.9999%
2.3 导电类型:    P型
2.4 掺杂物:      硼
2.5 氧浓度:      ≤1×1018atoms/cm2
2.6 碳浓度:      ≤5×1016atoms/cm2
2.7 晶向:        <100>±3°
2.8 少子寿命:    单晶τ≥10μs  (需经过特殊表面处理后所测值)
2.9 位错密度:    < 3000个/cm2
2.10电阻率:     1.0Ω?cm～3.0Ω?cm或3.0Ω?cm～6.0Ω?cm (两种规格应分开注明)
2.11尺寸
2.11.1 尺寸：125mm±0.5×125mm±0.5
2.11.2 厚度： 210μm～240μm
2.11.3  TTV:  ≤35μm
2.11.4 相邻两边的垂直为:  90°±0.3°
2.11.5 单晶片四个倒角中圆弧面上、下宽度<1mm，对角宽度相差<1.5mm
2.12外观
2.12.1 表面无明显沾污、色斑
2.12.2 不能有线痕
2.12.3 无可视裂纹
2.12.4 不能有穿孔现象
2.12.5 崩边：深度≤0.5mm，长度≤1.0mm  (崩边允许范围内的比例占同一批次货物总数的2%以下)
2.12.6 不能有V型缺口和缺角                           
2.12.7 目测无弯曲现象